本報(bào)訊 近日，三星表示，已在其最新3D NAND的光刻工藝中減少了厚光刻膠（以下簡(jiǎn)稱“PR”）的使用量，從而大幅節(jié)省了成本。

　　三星表示，為了提高NAND生產(chǎn)效率并降低成本，通過采用兩項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)減少了光刻膠的使用量。首先，三星優(yōu)化了生產(chǎn)過程中的每分鐘轉(zhuǎn)數(shù)和涂布機(jī)轉(zhuǎn)速，在保持最佳蝕刻條件的同時(shí)，減少了PR的使用，在保持涂層質(zhì)量的同時(shí)大幅節(jié)省了成本。其次，PR應(yīng)用后的蝕刻工藝已經(jīng)得到改進(jìn)，盡管材料使用量減少，但仍能獲得同等或更優(yōu)的結(jié)果。據(jù)了解，三星已將用于3D NAND生產(chǎn)的PR使用量減少了一半。

　　但三星此舉也意味著東進(jìn)半導(dǎo)體將面臨訂單減少的問題。據(jù)悉，東進(jìn)半導(dǎo)體光刻膠業(yè)務(wù)每年的營(yíng)收約為2500億韓元收入，其中60%來自于三星。

　　光刻膠被譽(yù)為“微納世界的畫家”，在半導(dǎo)體制造中，光刻膠要先被涂覆在硅片或其他襯底上，然后通過光照和后續(xù)蝕刻等處理，實(shí)現(xiàn)微細(xì)圖案的制作。

　　當(dāng)前，全球光刻膠市場(chǎng)幾乎被來自日本的JSR、東京應(yīng)化、信越化學(xué)、住友化學(xué)等企業(yè)所瓜分，也讓日本在全球半導(dǎo)體制造鏈中占據(jù)著舉足輕重的地位，這也讓日本獲得了主動(dòng)權(quán)。日本政府曾多次限制光刻膠等半導(dǎo)體材料的出口，其中，影響最深遠(yuǎn)的就是2019年7月，日本政府宣布對(duì)出口韓國(guó)的半導(dǎo)體工業(yè)材料加強(qiáng)審查和管控，并將韓國(guó)排除在貿(mào)易“白色清單”以外。在2019年，韓國(guó)光刻膠對(duì)日本的依賴度為80%。但韓國(guó)政府在被限制時(shí)并沒有坐以待斃，立刻牽頭一口氣投入了6萬億韓元的預(yù)算，鼓勵(lì)韓國(guó)的材料企業(yè)加快研發(fā)進(jìn)度。2022年12月，這筆投入終于獲得了回報(bào)，韓國(guó)三星電子公司宣布，將東進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)的EUV光刻膠成功應(yīng)用于其芯片工藝生產(chǎn)線。東進(jìn)半導(dǎo)體成為韓國(guó)第一家將EUV光刻膠本土化至量產(chǎn)水平的公司。（文 編）